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dafa娱乐场网页版|英飞凌将与松下电器联袂双双推出常闭型600VGaN功率器件

发布时间:2021-04-07    来源:dafa经典版网页登录67280

2015年3月20日,德国慕尼黑和日本大川新英飞凌技术股份有限公司和松下电器表示,两家公司同意共同开发使用松下机的NC式(强化)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构和英飞凌手表贴纸(SMD)PCB的GaN部件。在此背景下,松下家电向英飞陵授予了对上造型GaN晶体管结构的许可。根据该协议的规定,两家公司都可以生产高性能GaN部件。

由此带来的好处是,客户可以获得在两个通道上使用兼容PCB的GaN电源。到目前为止,还没有其他获得这种供应商集团的硅基板GaN装置,双方同意不公开其他合同细节。

作为新一代化合物半导体技术,硅基板间技术备受关注。一方面,可以构建高功率密度,增加电源和适配器等设备的外形规格。另一方面,它是提高能源效率的关键。

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通常,基于硅基板GaN技术的电源设备仅限于从高压工业设备(如服务器电源(600VGaN设备的潜在应用领域之一)到低压设备(如DC-DC转换器(如高级消费者电子产品))等各种领域。IHS公布的市场研究显示,与硅基板GaN技术相关的电力半导体市场将以50%以上的年增长率(CAGR)快速增长。也就是说,到2023年,市场容量将从2014年的1500万美元减少到8亿美元。

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